• 반도체 공정 과정을 실시간으로 모니터링하고 분석하는 진단기술
• 실시간 진단 및 제어기술개발을 통해 생산시간을 단축, 비용절감
• 공정 진단의 근본적인 이유? : 수율 향상을 목적으로함
• 반도체 웨이퍼의 크기가 점점 대구경화됨에 따라 오류공정에 의한 발생비용이 증가 ⇒ 공정 진단 기술의 필요성을 요구
• 반도체 공정진단 연구는 주로 플라즈마 모니터링을 통해 플라즈마를 진단하고 파라미터의 변경을 통해 플라즈마를 제어 (온도, 압력, 전력, 가스 유량)과 같은 입력 파라미터 값을 조정하여 최적의 수율을 찾아냄
• 실시간 FDC(Fault detection and Classification)을 통해 병목현상을 줄이며 수율에 기여
• 현재 반도체 제조 공정 중 플라스마 공정이 차지하는 비중은 40 % 이상이고, 플라즈마 에칭(Etching) 은 폴리 실리콘, 산화막과 메탈 등의 중요한 공정과 평면 디스플레이(Flat Panel Display: FPD) 제조공정에 크게 사용되고 있다
• 이에 따른 오류 진단기술 (Fault Detection and Classification: FDC), 첨단공정제어(Advanced Process Control: APC) 또는 실시간 모니터링을 통한 국내 반도체 산업의 지속적인 기술적 우위 유지가 필요